專利名稱：神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在腦疾病等各種疾病的治療 中有用的促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng) 養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置。
背景技術(shù)：
阿爾茨海默病性癡呆等神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病等腦疾病是以中樞 神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞脆弱化、損傷為原因產(chǎn)生的。為了治療這些腦疾病，正在研究向腦中移植 新的細(xì)胞或者向腦中注入神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子，保護(hù)正在損壞的神經(jīng)細(xì)胞這樣的腦再生療法。 這樣的再生療法雖大多尚處在研究階段，但其中一部分已經(jīng)正在進(jìn)行臨床應(yīng)用，作為對(duì) 各種腦疾病的新的治療方法正在引人關(guān)注。例如，在非專利文獻(xiàn)1、2中，公開(kāi)了為了向 腦內(nèi)導(dǎo)入神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子，向腦內(nèi)移植產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子的細(xì)胞，補(bǔ)充神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子量不 足的治療方法。非專利文獻(xiàn)1: “脳O再生醫(yī)療”，[online]，日本腦神經(jīng)外科學(xué)會(huì)，[2006年10 月 16 日檢索]，互聯(lián)網(wǎng) <http://square.umin.ac.jp/neuroinf/patient/701.html>非專利文獻(xiàn)2: “神経保護(hù)、神経修復(fù)薬 展望”，[online]，[2006年10月16 日檢索]，互聯(lián)網(wǎng) <http://www.h2.dion.ne.jp/ park/indexl/il014hogo.html>

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述具有修復(fù)中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的功能的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子由于不能通過(guò)血 腦屏障(即，處在血管與腦之間防止有害物質(zhì)進(jìn)入到腦內(nèi)的屏障)，因此不能通過(guò)靜脈注 射等向腦內(nèi)投入神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子。因此，在現(xiàn)有的腦再生療法中，只有如上述那樣向腦內(nèi) 移植產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子的細(xì)胞，或者直接向腦內(nèi)注入神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子的方法。但是，對(duì)腦進(jìn)行細(xì)胞移植或者注入神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子這樣的方法是伴隨中樞神經(jīng)系 統(tǒng)細(xì)胞的損傷或者對(duì)腦的感染等很高風(fēng)險(xiǎn)的行為，因此是僅能夠用特定的高級(jí)醫(yī)療設(shè)施 來(lái)實(shí)現(xiàn)的治療方法，所以盡管患者數(shù)量在增加，但并不是患者在任何地方都能容易地接 受治療。因此，本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題而完成的，作為本發(fā)明的目的，是提供一種新 的改良的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，為了治療或者預(yù)防腦疾病等各種疾病，其能夠不 向患部實(shí)施細(xì)胞移植或者注射，而是通過(guò)與治療場(chǎng)所無(wú)關(guān)的簡(jiǎn)易方法，促進(jìn)患部中的神 經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生。雖然關(guān)于磁療對(duì)腦疾病的治療效果的機(jī)理尚未完全明確，但本申請(qǐng)的發(fā)明人經(jīng) 過(guò)不懈努力，得到了以下見(jiàn)解，即，通過(guò)以適當(dāng)?shù)拇艌?chǎng)強(qiáng)度(例如小于或等于0.01特斯 拉)，向被治療體患部的特定細(xì)胞(能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的細(xì)胞，例如神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞)作用預(yù)定頻率的高頻交變磁場(chǎng)，能夠使該細(xì)胞內(nèi)的鈣離子(Ca2+) 濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)(以下，有時(shí)將“神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子 和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)”稱為“神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群”)的胞吐作用(exocytisis:開(kāi)口釋 放)反應(yīng)，并增加該細(xì)胞內(nèi)的轉(zhuǎn)錄因子(mRNA: Messengerribonucleic acid)，從而能夠 促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的合成以及釋放，由此，能夠促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生。 因此，本申請(qǐng)的發(fā)明人著眼于這樣的細(xì)胞中神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生促進(jìn)作用而 進(jìn)行不懈努力，對(duì)作用于細(xì)胞的高頻交變磁場(chǎng)的頻率進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)以及研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)了 能夠大幅度提高神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生促進(jìn)這樣的磁療效果的適宜的高頻交變磁場(chǎng)的頻 率，完成了如下的本申請(qǐng)發(fā)明。為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的某個(gè)觀點(diǎn)，提供一種神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn) 裝置，該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置通過(guò)對(duì)細(xì)胞施加磁刺激，促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神 經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生。該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置的特征在于，具備高頻電磁波 發(fā)生單元，為了使選自20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的范圍的產(chǎn)生促 進(jìn)用高頻的高頻交變磁場(chǎng)在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下對(duì)細(xì)胞發(fā)生作用，該高 頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波，通過(guò)由產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻交 變磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁刺激，使細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因 子樣物質(zhì)的胞吐作用，并通過(guò)磁刺激，增加細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子物 質(zhì)的轉(zhuǎn)錄因子(mRNA)，從而促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的合成以及向 細(xì)胞外的釋放。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，通過(guò)發(fā)生適于磁療的產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波，就能夠 發(fā)射該產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻交變磁場(chǎng)，作用于被治療體患部等的細(xì)胞。通過(guò)這樣的磁 刺激，促進(jìn)被治療體患部的細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生，該 神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)能夠使由于疾病而脆弱化、損傷或者數(shù)量正在減 少的細(xì)胞再生，適宜地磁療該疾病。通過(guò)這樣的磁療，不用向患部實(shí)施細(xì)胞移植或者注 射，不用選擇治療場(chǎng)所，就能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行疾病的治療或預(yù)防。另外，通過(guò)使由上述20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的高頻交
變磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁刺激作用于能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的細(xì)胞，使該細(xì)胞產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因 子群，通過(guò)該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的作用，能夠使由于疾病而發(fā)生脆弱化等的細(xì)胞的神經(jīng)突 起的伸展度為非刺激組的2倍以上，因此能夠提高磁療效果。另外，上述細(xì)胞是能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的細(xì)胞， 可以包括神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞、神經(jīng)細(xì)胞、成纖維細(xì)胞、血管內(nèi)皮細(xì)胞、表皮細(xì)胞、角化細(xì) 胞、免疫細(xì)胞或者肌肉細(xì)胞。另外，上述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子可以包括神經(jīng)生長(zhǎng)因子(NGF)、腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因 子(BDNF)、堿性成纖維細(xì)胞增殖因子(FGF-2)或者神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞株源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子 (GDNF)中的至少任一種。另外，神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)也可以是腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、 錳離子、京尼平(Genipin)、溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)、神經(jīng)節(jié)苷
脂或者Rho激酶中的至少任一種。另外，上述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置可以是用于治療以中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細(xì)胞的脆弱化、損傷或者細(xì)胞數(shù)減少為原因發(fā)生的疾病而使用的治療器。另外，上述疾病可以是神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病或者脊髓損傷中的至少任一種。另外，上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻可以選自60 180MHz、280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz的范圍。由此，能夠使上述脆弱化等的細(xì)胞的神經(jīng)突起的 伸展度為非刺激組的例如2.5倍以上，因此能夠進(jìn)一步提高磁療效果。另外，上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻可以選自100 160MHz的范圍。由此，能夠使上 述脆弱化等的細(xì)胞的神經(jīng)突起的伸展度為非刺激組的例如3倍以上，因此能夠更進(jìn)一步 提高磁療效果。另外，上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻可以選自120 160MHz的范圍。由此，能夠使上 述脆弱化等的細(xì)胞的神經(jīng)突起的伸展度為非刺激組的例如3.5倍以上，因此能夠顯著提高 磁療效果。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以具備輸出高頻電流的高頻振蕩單元、和 通過(guò)從高頻振蕩單元施加高頻電流，發(fā)生產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波的高頻用天線。 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠適宜地發(fā)生上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波，使產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的 高頻交變磁場(chǎng)適宜地作用于被治療體患部的細(xì)胞。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照預(yù)定的周期反復(fù)發(fā)生高頻電磁波的 接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生高頻電磁波。由此，能夠間歇發(fā)生 高頻交變磁場(chǎng)并作用于被治療體患部的細(xì)胞，因此，對(duì)于該細(xì)胞，能夠反復(fù)交替作用高 頻交變磁場(chǎng)的狀態(tài)和沒(méi)有作用高頻交變磁場(chǎng)的狀態(tài)。從而，作用于該細(xì)胞的高頻交變磁 場(chǎng)刺激發(fā)生變化，能夠提高磁療效果。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元也可以按照與2.0士 10% kHz相對(duì)應(yīng)的周期反復(fù) 發(fā)生高頻電磁波的第1接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的第1斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生高頻電磁 波。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照與7.8士 10% Hz相對(duì)應(yīng)的周期反復(fù)發(fā)生 高頻電磁波的第2接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的第2斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生高頻電磁波。 由此，能夠以被治療體患部的細(xì)胞敏感反應(yīng)的適當(dāng)時(shí)間間隔間歇發(fā)生高頻交變磁場(chǎng)，作 用于患部的細(xì)胞。另外，還可以具備低頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自上述2.0士 10% kHz的范圍 的產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的低頻交變磁場(chǎng)對(duì)細(xì)胞發(fā)生作用，該低頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生產(chǎn)生促 進(jìn)用低頻的低頻電磁波。由此，對(duì)被治療體患部的細(xì)胞，不僅是上述高頻交變磁場(chǎng)，還 能使適合于磁療的產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的頻率的低頻交變磁場(chǎng)發(fā)生作用，從而能夠進(jìn)一步提 高磁療效果。另外，上述低頻電磁波發(fā)生單元還可以具備輸出低頻電流的低頻振蕩單元、和 通過(guò)從低頻振蕩單元施加低頻電流，發(fā)生產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的低頻電磁波的低頻用天線。 由此，能夠適宜地發(fā)生產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的低頻電磁波，使產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的低頻交變磁 場(chǎng)適宜地作用于被治療體患部的細(xì)胞。另外，施加到上述低頻用天線的低頻電流的上升沿時(shí)間可以小于或等于0.1 μ 秒。由此，能夠提高低頻交變磁場(chǎng)的強(qiáng)度的變化率，因此細(xì)胞易于感受低頻交變磁場(chǎng)。
另外，上述低頻電磁波發(fā)生單元可以按照預(yù)定的周期反復(fù)發(fā)生低頻電磁波的接 通期間和不發(fā)生低頻電磁波的斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生低頻電磁波。由此，能夠間歇發(fā)生低 頻交變磁場(chǎng)并作用于被治療體患部的細(xì)胞，因此，對(duì)于該細(xì)胞，能夠交替作用低頻交變 磁場(chǎng)的狀態(tài)和沒(méi)有作用低頻交變磁場(chǎng)的狀態(tài)。從而，作用到該細(xì)胞的低頻交變磁場(chǎng)刺激 發(fā)生變化，從而能夠提高磁療效果。另外，上述低頻電磁波發(fā) 生單元可以按照與7.8士 10% Hz相對(duì)應(yīng)的周期反復(fù)發(fā) 生低頻電磁波的第3接通期間和不發(fā)生低頻電磁波的第3斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生低頻電磁 波。由此，能夠按照被治療體患部的細(xì)胞敏感反應(yīng)的適當(dāng)時(shí)間間隔間歇發(fā)生低頻交變磁 場(chǎng)，作用于該細(xì)胞。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照預(yù)定的周期反復(fù)發(fā)生高頻電磁波的 接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生高頻電磁波，高頻電磁波的接通期 間與低頻電磁波的接通期間同步。由此，高頻交變磁場(chǎng)和低頻交變磁場(chǎng)在相同的時(shí)間重 復(fù)發(fā)生/非發(fā)生，因此能夠明確地分離雙方的交變磁場(chǎng)作用于患部細(xì)胞的時(shí)間和沒(méi)有作 用的時(shí)間。由此，作用于該細(xì)胞的交變磁場(chǎng)刺激發(fā)生明顯的變化，從而能夠提高磁療效^ ο另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以通過(guò)按照與產(chǎn)生促進(jìn)用高頻相對(duì)應(yīng)的周 期間歇發(fā)生比產(chǎn)生促進(jìn)用高頻高的頻率的高頻電磁波，發(fā)生產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁 波。由此，能夠以高頻率的高頻電磁波作為載波，產(chǎn)生上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁 波。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生的產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波還可以包 括發(fā)生低于產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波時(shí)產(chǎn)生的高次諧波。即，高頻電磁波發(fā)生單元 還可以包括在發(fā)生上述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的整數(shù)分之一頻率的電磁波時(shí)，作為高次諧波， 附隨地發(fā)生該產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波的電磁波發(fā)生單元。發(fā)明的效果如以上說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，不用向患部實(shí)施細(xì)胞移植或者注射，通過(guò)與 治療場(chǎng)所無(wú)關(guān)的簡(jiǎn)易治療，就能夠促進(jìn)患部中的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì) 的產(chǎn)生，從而治療或者預(yù)防腦疾病等各種疾病。


圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的磁療器的外觀的立體圖。圖2A是表示同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的平面圖。圖2B是表示同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其它例子的平面圖以及表示 振蕩線圈的平面圖。圖3是表示同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器的電路結(jié)構(gòu)例的框圖。圖4是表示同一個(gè)實(shí)施方式的施加到高頻用線圈以及低頻用線圈上的高頻電流 以及低頻電流的波形的波形圖。圖5A是表示使用了同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器的治療狀態(tài)的說(shuō)明圖。圖5B是表示使用了同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器的治療狀態(tài)的說(shuō)明圖。圖6是表示由同一個(gè)實(shí)施方式的磁療器產(chǎn)生的磁療效果的機(jī)理的流程圖。
圖7是表示在本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)1中使用的磁刺激裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)5的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。圖11是表示上述實(shí)施方式的磁療器發(fā)生的電磁波的頻率的測(cè)定結(jié)果的圖。符號(hào)的說(shuō)明10、10A、IOB 磁療器(神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置)12 外罩16:顯示部18 電源部20 控制塊21 電源供給電路22:主控制電路23:時(shí)鐘生成電路24:高頻振蕩單元25 低頻振蕩單元30、30A、30B 高頻用線圈40、40A、40B 低頻用線圈50:振蕩線圈
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。另外，在本說(shuō)明書及附圖 中，對(duì)于實(shí)質(zhì)上具有相同功能結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素，通過(guò)標(biāo)注相同的符號(hào)省略重復(fù)的說(shuō)明。(第1實(shí)施方式)以下，作為本發(fā)明第1實(shí)施方式的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置的一個(gè)例子，對(duì) 磁療器進(jìn)行說(shuō)明。該磁療器是通過(guò)對(duì)人體患部的細(xì)胞施加磁刺激，促進(jìn)細(xì)胞中的神經(jīng)營(yíng) 養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)(以下，將“神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物 質(zhì)”稱為“神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群”)的產(chǎn)生，用于治療以及預(yù)防腦疾病等各種疾病的治療器。<磁療器的結(jié)構(gòu)>首先，根據(jù)圖1，說(shuō)明本實(shí)施方式的磁療器10的外觀結(jié)構(gòu)。另外，圖1是表示 本實(shí)施方式的磁療器10的外觀結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖1所示，磁療器10例如具備外罩12、操作部14和顯示部16。外罩12是用于在內(nèi)部收容磁療器10的各主要裝置的箱體，例如，用塑料等合 成樹(shù)脂等形成。在圖1的例子中，該外罩12具有平坦的大致長(zhǎng)方體形狀(例如，長(zhǎng)度 8cmX寬度6cmX高度2cm左右)，但并不限于這樣的例子，例如，也能夠變更成大致球 形、大致橢圓球形、大致棒形、大致立方體形、其它的使用者易于手持的形狀等任意的 形狀。磁療器10的使用者通過(guò)手持這樣的外罩12，使磁療器10直接接觸患部或者對(duì)患 部接近到預(yù)定距離以內(nèi)，從而能夠使從磁療器10發(fā)射的電磁波(包括交變磁場(chǎng))作用于 ■ 患 R^ ο
操作部14例如是用于使磁療器10的動(dòng)作(交變磁場(chǎng)的照射動(dòng)作等)開(kāi)始/停止 的開(kāi)關(guān)等。例如使用者在每次按下這樣的操作部14時(shí)，能夠切換磁療器10的動(dòng)作/非 動(dòng)作。
另外，顯示部16例如由LED(發(fā)光二極管)等發(fā)光燈等構(gòu)成。該顯示部16能 夠顯示磁療器10的動(dòng)作/非動(dòng)作的狀態(tài)和后述的電源部(未圖示)的余量或者充電狀態(tài) 等。在本實(shí)施方式中，該顯示部16由紅色LED16a和綠色LED16b的兩個(gè)LED構(gòu)成。 例如，如果電源部的電池余量等大于或等于預(yù)定水平，則該紅色LED16a點(diǎn)亮，如果小于 該水平則閃爍。另外，綠色LED16b在磁療器10的動(dòng)作時(shí)點(diǎn)亮或者閃爍，在非動(dòng)作時(shí)熄 滅。但顯示部16并不限于這樣的例子，例如，也可以由能夠顯示文字或者圖形等的 液晶顯示裝置(LCD)等構(gòu)成。由此，顯示部16能夠顯示磁療器10正在照射的電磁波 (交變磁場(chǎng))的頻率和強(qiáng)度、已經(jīng)持續(xù)照射的時(shí)間、照射時(shí)間、治療程序、電池的余量、 時(shí)刻或者溫度等各種信息。其次，根據(jù)圖2A、圖2B說(shuō)明本實(shí)施方式的磁療器10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。另外，圖 2A是表示本實(shí)施方式的磁療器10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子(磁療器10A)的平面圖，圖2B 是表示本實(shí)施方式的磁療器10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其它例子(磁療器10B)的平面圖，以及表示 其內(nèi)部的振蕩線圈50的立體圖。如圖2A所示，在磁療器IOA的外罩12的內(nèi)部，例如設(shè)置電源部18、控制塊 20、高頻用線圈30A、低頻用線圈40A。其中，控制塊20、高頻用線圈30A以及低頻用 線圈40A例如設(shè)置在同一個(gè)基板17上，能夠一起裝卸于外罩12。電源部18例如是由各種充電電池或者干電池等電池(例如9V的干電池等)等構(gòu) 成的直流電源裝置，對(duì)磁療器IOA的各部分供電。另外，控制塊20例如是設(shè)置有控制磁 療器IOA內(nèi)各部的控制裝置、產(chǎn)生高頻的高頻振蕩電路以及時(shí)鐘生成電路等(均未圖示) 的電路基板，詳細(xì)情況在后面敘述(參照?qǐng)D3)。高頻用線圈30A是通過(guò)施加高頻電流發(fā)射高頻電磁波的天線(高頻用天線)的一 個(gè)例子。該高頻用線圈30A例如是由纏繞了 8圈比較粗的銅線得到的線圈所構(gòu)成的環(huán)形 天線。這樣的高頻用線圈30A例如通過(guò)從上述控制塊20施加高頻電流，能夠發(fā)生作為產(chǎn) 生促進(jìn)用高頻(例如100 160MHz)的高頻電磁波并向周圍發(fā)射。該高頻電磁波包括高 頻交變磁場(chǎng)以及高頻交變電場(chǎng)。另一方面，低頻用線圈40A是通過(guò)施加低頻電流發(fā)射低頻電磁波的天線(低頻用 天線)的一個(gè)例子。該低頻用線圈40A例如是由纏繞了 500圈比較細(xì)的銅線得到的線圈 所構(gòu)成的環(huán)形天線。這樣的低頻用線圈40A例如通過(guò)從上述控制塊20施加低頻電流，能 夠發(fā)生頻率例如大約2.0kHz的低頻電磁波并向周圍發(fā)射。該低頻電磁波包括低頻交變磁 場(chǎng)以及低頻交變電場(chǎng)。這些高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A例如被平行配置，使得各個(gè)中心軸例 如大致沿相同的方向。而且，該高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A的各個(gè)中心軸配置 成平行于外罩12的最寬的面(圖1的上面以及下面)。從而，由高頻用線圈30A以及低 頻用線圈40A發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波形成磁力線垂直于外罩12的側(cè)面的高頻 交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)。
其次，對(duì)圖2B表示的磁療器IOB進(jìn)行說(shuō)明。如圖2B所示，在磁療器IOB的外 罩12的內(nèi)部，例如設(shè)置電源部18、控制塊20、包括高頻用線圈30B和低頻用線圈40B的 振蕩線圈50。其中，控制塊20、高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B例如設(shè)置在同一 個(gè)基板17上，能夠一起裝卸于外罩12。，圖2B的磁療器IOB與上述圖2A的磁療器IOA 相比較，僅是高頻用線圈30B和低頻用線圈40B的結(jié)構(gòu)以及配置不同，由于其它的構(gòu)成 要素大致相同，因此省略詳細(xì)的說(shuō)明。如圖2B所示，振蕩線圈50例如在直徑3cm、軸方向的寬度9cm、徑向的厚度 2mm的丙烯制的環(huán)形底座部52的外周上，形成了纏繞有比較粗的銅線得到的高頻用線圈 30B和纏繞有比較細(xì)的導(dǎo)線得到的低頻用線圈40B。其中，高頻用線圈30B是纏繞了 1圈 的螺線管線圈(直徑3cm)，低頻用線圈40B是纏繞了 200圈的螺線管線圈(直徑3cm， 纏繞寬度5mm)。S卩，振蕩線圈50是在一個(gè)環(huán)形底座部52上，在同一個(gè)軸上制作了高 頻用線圈30B以及低頻用線圈40B這兩種線圈。該振蕩線圈50的中心軸(高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B的中心軸)配置 成垂直于外罩12的最寬的面(圖1的上面以及下面)。從而，由高頻用線圈30B以及低 頻用線圈40B發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波形成磁力線垂直于外罩12的最寬的面的 高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)。以上參照?qǐng)D2A、圖2B說(shuō)明了磁療器10的2個(gè)結(jié)構(gòu)例(10A、10B)。在上述的磁 療器IOA和磁療器IOB中，形成交變磁場(chǎng)的磁力線的方向或者形狀不同。然而，在每種 情況下，高頻用線圈30A、30B(以下統(tǒng)稱為“高頻用線圈30” )以及低頻用線圈40A、 40B(以下統(tǒng)稱為“低頻用線圈40”)發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波，例如，以在以 線圈的中心軸為中心的整個(gè)圓周方向大致均勻地?cái)U(kuò)散的方式照射。因此，即使以任意的 角度使磁療器10A、IOB的任一個(gè)面接觸或者接近患部，都具有磁療效果。從而，使用 這種磁療器10的治療非常簡(jiǎn)便。另外，作為發(fā)射高頻電磁波或者低頻電磁波的天線，不限于上述圖2的高頻用 線圈30以及低頻用線圈40那樣的環(huán)形天線的例子，例如，也能夠使用棒形天線等各種天 線。其次，根據(jù)圖3，更詳細(xì)地說(shuō)明本實(shí)施方式的磁療器10的電路結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作。 另外，圖3是表示本實(shí)施方式的磁療器10的電路結(jié)構(gòu)的框圖。以下說(shuō)明的控制塊20以及上述高頻用線圈30是發(fā)生預(yù)定的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率(例 如83.3MHz)的高頻電磁波的高頻電磁波發(fā)生單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。該控制塊20以及上述 低頻用線圈40是發(fā)生預(yù)定頻率(例如2kHz)的低頻電磁波的低頻電磁波發(fā)生單元的一個(gè) 結(jié)構(gòu)例。如圖3所示，控制塊20例如具備主控制電路22、電源供給電路21、時(shí)鐘生成電 路23、高頻振蕩單元24和低頻振蕩單元25。主控制電路22例如由單芯片微機(jī)等構(gòu)成，具有對(duì)控制塊20內(nèi)的各部進(jìn)行控制的 功能。電源供給電路21例如具有接通/斷開(kāi)控 制電路212、升壓電路214、降壓電路 216，具有控制把來(lái)自上述電源部18的電力供給到控制塊20內(nèi)各部的功能。具體而言， 接通/斷開(kāi)控制電路212例如檢測(cè)操作部14的開(kāi)關(guān)的接通/斷開(kāi)，把檢測(cè)結(jié)果輸入到主控制電路22。另外，接通/斷開(kāi)控制電路212根據(jù)主控制電路22的接通/斷開(kāi)指示，接 通/斷開(kāi)從電源部18向高頻用線圈30以及低頻用線圈40等的供電。另外，升壓電路214例如能夠根據(jù)需要把來(lái)自由9V干電池構(gòu)成等的電源部18的 電力進(jìn)行升壓。由此，能夠把供給到高頻用線圈30以及低頻用線圈40的電壓維持為例 如9V。另外，升壓電 路214例如在由于電源部18的電池的消耗等使自身能夠輸出的電壓 降低到小于或等于預(yù)定水平的情況下，還能對(duì)主控制電路22輸出電池消耗的錯(cuò)誤信號(hào)。 其結(jié)果，主控制電路22如果被輸入了該錯(cuò)誤信號(hào)，則例如進(jìn)行把紅色LED16a從點(diǎn)亮切 換到閃爍的控制，向使用者通知電池的消耗。另外，降壓電路216通過(guò)把電源部18的電源降壓，能夠把供給到主控制電路22 等的電壓維持為例如5V。另外，降壓電路216例如在由于電源部18的電池的消耗等使自 身能夠輸出的電壓下降到小于或等于預(yù)定水平的情況下，還能對(duì)主控制電路22輸出電壓 下降的錯(cuò)誤信號(hào)。其結(jié)果，主控制電路22進(jìn)行控制，使得例如停止磁療器10整體的動(dòng) 作，從而可以預(yù)先防范由電壓下降等引起的突發(fā)性的動(dòng)作停止等故障。其結(jié)果，例如， 由于在磁療器10的動(dòng)作過(guò)程中點(diǎn)亮的綠色LED16b被控制成熄滅，因此能夠向使用者通 知磁療器10停止了動(dòng)作。時(shí)鐘生成電路23例如生成預(yù)定頻率的時(shí)鐘信號(hào)，輸出到主控制電路22。該時(shí)鐘 生成電路23構(gòu)成為例如能夠生成32.7kHz以及IOMHz的時(shí)鐘信號(hào)。主控制電路22把從 該時(shí)鐘生成電路23輸入的時(shí)鐘信號(hào)輸出到低頻振蕩電路254。低頻振蕩電路254根據(jù)該 時(shí)鐘信號(hào)，例如生成2.0kHz以及7.81Hz的時(shí)鐘信號(hào)，分別輸出到調(diào)制電路246以及線圈 驅(qū)動(dòng)電路258。高頻振蕩單元24生成預(yù)定的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率(例如大約83.3MHz)的高頻電流， 施加到高頻用線圈30上。該高頻振蕩單元24例如具有頻率控制電路242、高頻振蕩電路 244、調(diào)制電路246和線圈驅(qū)動(dòng)電路248。頻率控制電路242具有控制高頻振蕩電路244生成的高頻的頻率的功能。具體 而言，該頻率控制電路242例如根據(jù)來(lái)自主控制電路22的頻率設(shè)定信號(hào)以及來(lái)自高頻振 蕩電路244的反饋的高頻，控制高頻振蕩電路244輸出的高頻的頻率。其結(jié)果，高頻振 蕩電路244能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生例如83.3MHz的高頻，輸出到調(diào)制電路246。另外，高頻只 要是能夠傳遞預(yù)定頻率的信號(hào)，則可以是高頻電流或者高頻電壓的任一種。另外，上述 高頻振蕩電路244輸出的83.3MHz的高頻例如是大致正弦波信號(hào)。調(diào)制電路246例如根據(jù)從低頻振蕩電路254輸入的時(shí)鐘信號(hào)，能夠例如以兩個(gè)階 段進(jìn)行接通/斷開(kāi)處理，間歇輸出從高頻振蕩電路244輸入的83.3MHz的高頻信號(hào)。第1階段的接通/斷開(kāi)處理是例如根據(jù)2.0kHz的時(shí)鐘信號(hào)，部分地截?cái)噍斎氲?83.3MHz的高頻，間歇地輸出的處理。具體而言，調(diào)制電路246反復(fù)進(jìn)行例如預(yù)定的第 1接通期間(例如400 μ sec)直接輸出83.3MHz的高頻，接著，預(yù)定的第1斷開(kāi)期間(例 如IOOysec)輸出把該高頻的振幅截?cái)嗔说男盘?hào)的處理。由此，調(diào)制電路246例如能夠按 照與2.0kHz相當(dāng)?shù)闹芷诮油?斷開(kāi)例如作為恒穩(wěn)的正弦波被輸入的83.3MHz的高頻，間 歇振蕩83.3MHz的高頻。換言之，調(diào)制電路246能夠進(jìn)行例如以從高頻振蕩電路244輸 入的83.3MHz的高頻作為載波，輸出顯示2.0kHz的大致矩形波的信號(hào)的調(diào)制處理。另外，第2階段的接通/斷開(kāi)處理是例如根據(jù)7.81Hz的時(shí)鐘信號(hào)，把完成了上述第1階段的接通/斷開(kāi)處理的高頻進(jìn)一步部分地截?cái)啵g歇輸出的處理。具體而言， 調(diào)制電路246反復(fù)進(jìn)行例如預(yù)定的第2接通期間(例如64msec)直接輸出該高頻，接著， 預(yù)定的第2斷開(kāi)期間(例如64msec)輸出把該高頻的振幅截?cái)嗔说男盘?hào)的處理。由此， 調(diào)制電路246例如能夠像上述那樣，把按照與2.0kHz相當(dāng)?shù)闹芷陂g歇的83.3MHz的高頻 按照與7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷诮油?斷開(kāi)，進(jìn)而能夠間歇振蕩按照更大的周期間歇的高頻。 換言之，調(diào)制電路246例如能夠把從高頻振蕩電路244輸入的83.3MHz的高頻作為載波， 輸出顯示7.81Hz的大致矩形波的信號(hào)。由這樣的調(diào)制電路246實(shí) 施了兩個(gè)階段的接通/斷開(kāi)處理的高頻輸入到線圈驅(qū)動(dòng) 電路248。線圈驅(qū)動(dòng)電路248用來(lái)自電源供給電路21的電力把所輸入的高頻放大，按照 與2.0kHz以及7.81Hz相當(dāng)?shù)膬蓚€(gè)周期間歇振蕩頻率83.3MHz的高頻電流，施加到高頻用 線圈30上。這時(shí)，線圈驅(qū)動(dòng)電路248通過(guò)控制施加到高頻用線圈30的高頻電流的電流 值，控制高頻用線圈30發(fā)生的高頻電磁波的磁場(chǎng)強(qiáng)度(磁通密度)，使得對(duì)患部作用的高 頻交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度例如在50nT 0.01T以下的范圍。例如，實(shí)際檢測(cè)了本實(shí)施方式 的磁療器IOB的高頻用線圈30Β發(fā)生的高頻電磁波的磁場(chǎng)強(qiáng)度的結(jié)果是1.3 μ Τ，由此， 距高頻用線圈30Β的有效距離為3mm的范圍內(nèi)，能夠?qū)疾孔饔么笥诨虻扔?0 μ T的高 頻交變磁場(chǎng)。另一方面，低頻振蕩單元25例如生成大約2kHz的低頻電流，施加到低頻用線圈 40上。該低頻振蕩單元25例如具有低頻振蕩電路254和線圈驅(qū)動(dòng)電路258。低頻振蕩電路254如上所述，根據(jù)從主控制電路22輸入的時(shí)鐘信號(hào)，例如生成 2.0kHz以及7.81Hz的時(shí)鐘信號(hào)，分別輸出到調(diào)制電路246以及線圈驅(qū)動(dòng)電路258。另 夕卜，低頻振蕩電路254例如根據(jù)該時(shí)鐘信號(hào)作為大致矩形波生成2.0kHz的低頻，進(jìn)而， 對(duì)該低頻，例如按照與大約7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷?每64msec)實(shí)施接通/斷開(kāi)處理，生成 按照與大約7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷陂g歇的2kHz的低頻。具體而言，低頻振蕩電路254反復(fù) 進(jìn)行例如預(yù)定的第3接通期間(例如64msec)直接輸出該低頻，接著，預(yù)定的第3斷開(kāi)期 間(例如64msec)輸出把該低頻的振幅截?cái)嗔说男盘?hào)的處理。由此，低頻振蕩電路254 能夠例如按照與7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷诎?.0kHz的低頻接通/斷開(kāi)，進(jìn)行間歇振蕩。另外， 在該低頻振蕩電路254的前后還可以設(shè)置與上述頻率控制電路242以及調(diào)制電路246相當(dāng) 的電路。線圈驅(qū)動(dòng)電路258用來(lái)自電源供給電路21的電力把從低頻振蕩電路254輸入的 低頻放大，按照與7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷陂g歇振蕩頻率2.0kHz的高頻電流，施加到低頻用線 圈40上。這時(shí)，線圈驅(qū)動(dòng)電路258通過(guò)控制施加到低頻用線圈40上的低頻電流的電流 值，控制低頻用線圈40發(fā)生的低頻電磁波的磁場(chǎng)強(qiáng)度(磁通密度)，使得對(duì)患部作用的低 頻交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度例如在50nT 0.01T以下的范圍。例如，實(shí)際檢測(cè)了本實(shí)施方式 的磁療器IOB的低頻用線圈40Β發(fā)生的高頻電磁波的磁場(chǎng)強(qiáng)度的結(jié)果是13μΤ，由此，在 距低頻用線圈40Β的有效距離為3mm的范圍內(nèi)，能夠?qū)疾孔饔么笥诨虻扔?0 μ T的低 頻交變磁場(chǎng)。<電磁波發(fā)生時(shí)間>這里，參照?qǐng)D4，詳細(xì)說(shuō)明施加到本實(shí)施方式的高頻用線圈30以及低頻用線圈 40上的高頻電流以及低頻電流的波形。另外，圖4是表示施加到本實(shí)施方式的高頻用線圈30以及低頻用線圈40上的高頻電流以及低頻電流的波形的波形圖。如圖4(a)所示，在高頻用線圈30上施加產(chǎn)生促進(jìn)用頻率(例如大約83.3MHz) 的高頻電流。該高頻電流例如成為振幅30mA、以O(shè)A為中心對(duì)稱的大致正弦波。另外，該高頻電流例如不是連續(xù)波而是周期性地接通/斷開(kāi)的斷續(xù)波。詳細(xì)而 言，高頻電流具有交互反復(fù)例如400 μ sec的第1接通期間(1)和例如100 μ sec的第1斷 開(kāi)期間(2)的波形，按照例如與大約2.0kHz相對(duì)應(yīng)的周期間歇。進(jìn)而，這樣的高頻電流 在更大的時(shí)間尺度中，具有交互反復(fù)例如64msec的第2接通期間(3)和例如64msec的 第2斷開(kāi)期間(4)的波形，按照例如與大約7.81Hz相對(duì)應(yīng)的周期間歇。另外，由于該高 頻電流是例如大約83.3MHz的高頻，因此其上升沿時(shí)間以及下降沿時(shí)間例如小于或等于 0.003 μ sec,非常微小。與其相對(duì)，如圖4(b)所示，在低頻用線圈40上施加例如頻率大約2.0kHz的低 頻電流。該低頻電流例如成為按照大約2.0kHz的周期交互取17 μ A或者OA的二值的矩 形波(方波)。該低頻電流成為17 μ A的時(shí)間寬度(5)例如是400 μ sec，為OA的時(shí)間 寬度(6)例如是100 μ sec。另外，該低頻電流的大致矩形波調(diào)整為其上升沿時(shí)間小于或 等于O.lysec，下降沿時(shí)間成為例如小于或等于1.0 μ sec。這樣，通過(guò)使施加到低頻用 線圈40上的低頻電流的上升沿時(shí)間短至小于或等于0.1 μ sec,下降沿時(shí)間短至小于或等 于1.0 μ sec，能夠增大施加該低頻電流時(shí)低頻用線圈40發(fā)生的低頻電磁波的單位時(shí)間的 變化量。由此，由于磁刺激對(duì)象細(xì)胞易于感受極其微弱的磁場(chǎng)(例如磁通密度50nT 0.01Τ)(即，細(xì)胞易于受到磁刺激)，因此能夠進(jìn)一步促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生?？s短 施加到低頻用線圈40上的電壓的上升沿時(shí)間，在線圈周圍發(fā)生的磁場(chǎng)變化率并不增大， 但通過(guò)如上述那樣縮短低頻電流的上升沿時(shí)間，能夠增大磁場(chǎng)變化率，使細(xì)胞敏感地感 受到磁場(chǎng)。例如，該低頻電流也不是連續(xù)波而是以大約7.81Hz周期性地接通/斷開(kāi)的斷續(xù) 波。詳細(xì)而言，例如，低頻電流具有交互反復(fù)64msec的第3接通期間(6)和64msec的 第3斷開(kāi)期間(8)的波形，按照與大約7.81Hz相對(duì)應(yīng)的周期間歇。進(jìn)而，如果把圖4(a)以及圖4(b)進(jìn)行比較，則按照7.81Hz的周期接通/斷開(kāi) 高頻電流的定時(shí)與按照7.81Hz的周期接通/斷開(kāi)低頻電流的定時(shí)同步。更詳細(xì)而言，高 頻電流以及低頻電流都按照與7.81Hz相對(duì)應(yīng)的周期間歇(具體而言，例如按照128msec 的周期反復(fù)接通/斷開(kāi))，而這時(shí)，調(diào)整高頻電流以及低頻電流的施加時(shí)間，使得高頻電 流的第2接通期間(3)(或者第2斷開(kāi)期間(4))與低頻電流的第3接通期間(7)(或者第 3斷開(kāi)期間(8))大致相同。除此以外，高頻電流施加到高頻用線圈30的期間(1)(高頻電流的接通期間)與 低頻電流為例如17 μ A的期間(5)(即，電流在低頻用線圈40中流過(guò)的期間)同步。更 詳細(xì)而言，高頻電流以2.0kHz間歇(具體而言，例如按照500 μ sec的周期反復(fù)接通/斷 開(kāi))，另一方面，低頻電流以2.0kHz交互取17 μ A或者OA的二值。這種情況下，高頻 電流的第1接通期間⑴與低頻電流為17 μ A的期間(5) —致，高頻電流的第1斷開(kāi)期間 (2)與低頻電流為OA的期間(6) —致。這樣，調(diào)整高頻電流以及低頻電流的施加時(shí)間， 使得高頻電流實(shí)際上在高頻用線圈30中流過(guò)的時(shí)間與低頻電流實(shí)際上在低頻用線圈40中 流過(guò)的時(shí)間同步。
例如，通過(guò)在9V下施加上述的高頻電流，高頻用線圈30能夠發(fā)生例如與圖 4(a)所示的高頻電流大致相同波形的高頻電磁波并向周圍發(fā)射。該高頻電磁波例如是頻 率大約83.3MHz的高頻的大致正弦波，按照與大約2.0kHz以及大約7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷冢?周期性地變化。通過(guò)這樣的高頻電磁波的照射，產(chǎn)生促進(jìn)用高頻例如能夠在磁療器10的 周圍間歇發(fā)生例如83.3MHz的高頻交變磁場(chǎng)。更詳細(xì)而言，例如，該高頻交變磁場(chǎng)是磁通密度(磁場(chǎng)強(qiáng)度)以13 μ T為最大 振幅，以大約83.3MHz周期性地增減，磁場(chǎng)方向沿著正負(fù)兩個(gè)方向以大約83.3MHz周期 性地變動(dòng)的交變磁場(chǎng)，是按照與大約2.0kHz以及大約7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷陂g斷地發(fā)生的磁 場(chǎng)。通過(guò)這樣發(fā)生間歇的高頻交變磁場(chǎng)，磁療器10不僅能夠?qū)⒆鳛楫a(chǎn)生促進(jìn)用高 頻的大約83.3MHz的高頻交變磁場(chǎng)，而且還能同時(shí)將以該高頻交變磁場(chǎng)為載波的大約 2.0kHz以及大約7.81Hz的低頻交變磁場(chǎng)的方式作用于被治療體(人體的患部等)。另外，通過(guò)例如在9V下施加上述的低頻電流，低頻用線圈40能夠發(fā)生與圖 4(b)所示的低頻電流大致相同波形的低頻電磁波并向周圍發(fā)射。例如，該低頻電磁波是 頻率大約2.0kHz的低頻的大致矩形波，以大約7.81Hz周期性地變化。通過(guò)這種低頻電 磁波的照射，產(chǎn)生促進(jìn)用低頻例如能夠在磁療器10的周圍間歇地發(fā)生大約2.0kHz的低頻 交變磁場(chǎng)。更詳細(xì)而言，該低頻交變磁場(chǎng)例如是以2.0kHz的周期接通/斷開(kāi)(例如，交互 反復(fù)400 μ sec的接通期間和100 μ sec的斷開(kāi)期間)磁場(chǎng)強(qiáng)度例如為13 μ Τ、磁場(chǎng)方向僅 固定為例如正方向的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)，作為整體，是以與大約7.81Hz相當(dāng)?shù)闹芷?間歇發(fā)生的磁場(chǎng)。通過(guò)這樣發(fā)生間歇的低頻交變磁場(chǎng)，磁療器10不僅能夠?qū)a(chǎn)生促進(jìn)用低頻為大 約2.0kHz的低頻交變磁場(chǎng)，而且還能同時(shí)將以該低頻交變磁場(chǎng)為載波的大約7.81Hz的低 頻交變磁場(chǎng)作用于被治療體。進(jìn)而，通過(guò)對(duì)高頻用線圈30以及低頻用線圈40同時(shí)并行施加上述高頻電流以及 低頻電流，能夠同時(shí)發(fā)生這樣的高頻電磁波和低頻電磁波。其結(jié)果，例如，能夠在磁療 器10的周圍同時(shí)發(fā)生高頻交變磁場(chǎng)和低頻交變磁場(chǎng)。這時(shí)，如在上述圖4中表示的那 樣，例如，高頻電磁波以及低頻電磁波的7.81Hz下的間歇時(shí)間相互同步，而且，高頻電 磁波的2.0kHz下的間歇時(shí)間與由低頻電磁波產(chǎn)生的2.0kHz下的磁場(chǎng)發(fā)生時(shí)間同步。由此，能夠使由高頻電磁波照射產(chǎn)生的高頻交變磁場(chǎng)的發(fā)生時(shí)間與由低頻電磁 波照射產(chǎn)生的磁場(chǎng)的發(fā)生時(shí)間同步。即，能夠使得當(dāng)高頻用線圈30發(fā)生高頻交變磁場(chǎng) 時(shí)，低頻用線圈40也發(fā)生預(yù)定強(qiáng)度的磁場(chǎng)，另一方面，當(dāng)高頻用線圈30沒(méi)有發(fā)生高頻交 變磁場(chǎng)時(shí)，低頻用線圈40也不發(fā)生預(yù)定水平的磁場(chǎng)。從而，磁療器10作為整體能夠周 期性地反復(fù)磁場(chǎng)(高頻用線圈30發(fā)生的高頻交變磁場(chǎng)以及低頻用線圈40發(fā)生的預(yù)定水平 的磁場(chǎng))的發(fā)生/不發(fā)生。上述中說(shuō)明了交變磁場(chǎng)的發(fā)生，而通過(guò)上述電磁波的照射也發(fā)生高頻交變電場(chǎng) 和低頻交變電場(chǎng)。這些交變電場(chǎng)的發(fā)生方式例如與上述交變磁場(chǎng)的發(fā)生方式大致相同， 因此省略其說(shuō)明。另外，在上述圖3以及圖4的例子中，說(shuō)明了產(chǎn)生83.3MHz的高頻電磁波作為產(chǎn)生促進(jìn)用高頻，產(chǎn)生2.0kHz的低頻電磁波作為產(chǎn)生促進(jìn)用低頻的例子，但所發(fā)生的頻率 并不限于這樣的例子。本實(shí)施方式的磁療器10以與上述相同的結(jié)構(gòu)，能夠產(chǎn)生例如20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz范圍的高頻電磁波作為產(chǎn)生促進(jìn)用高頻，另 外，能夠發(fā)生例如2士 10% kHz范圍的低頻電磁波作為產(chǎn)生促進(jìn)用低頻。<磁療器的磁療方式>其次，根據(jù)圖5A以及圖5B，說(shuō)明由本實(shí)施方式的磁療器10進(jìn)行磁療的方式 狀態(tài)及其作用效果。另外，圖5A以及圖5B是表示使用了本實(shí)施方式的磁療器10A、 10B(參照?qǐng)D2A、圖2b)的治療方式的說(shuō)明圖。如圖5A以及圖5B所示，磁療器10例如是用干電池等電池動(dòng)作的小型輕便的治 療器(例如家用治療器)，患者能夠容易攜帶。另外，該磁療器10是磁刺激式的治療器， 即，通過(guò)從上述高頻用線圈30以及低頻用線圈40產(chǎn)生電磁波而能夠從體外對(duì)腦內(nèi)等患部 的細(xì)胞作用磁刺激。因此，磁療器10不需要現(xiàn)有的電極粘貼型治療器中的用于在人體中 流過(guò)電流的電極或者特殊的大型裝置，另外，即使在向腦內(nèi)等施加磁刺激的情況下，也 不需要剃去頭發(fā)。在使用這樣的磁療器10治療人體的患部(被治療體)時(shí)，例如，如圖5A(a)以 及圖5B(a)所示，可以使接通了電源開(kāi)始動(dòng)作的磁療器10對(duì)患部直接接觸或者隔著頭發(fā) 或衣服等間接接觸。由此，磁療器10向患部的磁刺激對(duì)象細(xì)胞作用如上述那樣發(fā)生的 交變磁場(chǎng)(高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng))。這時(shí)，交變磁場(chǎng)例如不僅作用于人體表 面(毛發(fā)、皮膚等)的細(xì)胞，還作用于人體內(nèi)部(腦、脊髓、肌肉、血管、骨骼等)的細(xì) 胞，向這些細(xì)胞施加磁刺激。另外，磁療器10例如不一定需要與患者接觸，即使像圖5A(b)以及圖5B(b) 所示那樣，僅是接近距體表預(yù)定距離以內(nèi)的位置，也能夠向患部的細(xì)胞作用上述交變磁 場(chǎng)。即，磁療器10例如與電極粘貼類的接觸型的磁療器等不同，能夠作為即使從頭發(fā)或 者衣服之上等也能治療的非接觸型的磁療器利用。然而，由于磁療器10發(fā)生的交變磁場(chǎng) 的強(qiáng)度隨著離開(kāi)磁療器10而減小(與離開(kāi)距離的三次方成比例降低)，因此如果磁療器 10過(guò)于離開(kāi)患部，則磁療效果減弱。因此，本實(shí)施方式的磁療器10考慮到高頻用線圈30以及低頻用線圈40與磁刺 激對(duì)象的患部的距離(用于提供最低限度磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁刺激的有效距離)，例如調(diào)整高頻 用線圈30以及低頻用線圈40發(fā)生的高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，使得對(duì) 該患部作用磁場(chǎng)強(qiáng)度(磁通密度)為例如50nT 0.01Τ的交變磁場(chǎng)。即使是該50ηΤ這樣 微弱的磁場(chǎng)強(qiáng)度，也能夠?qū)?xì)胞施加可以促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生程度的磁刺激。由 于地磁的強(qiáng)度是大約6mT，因此上述50nT這樣的磁場(chǎng)強(qiáng)度是地磁的大約1000分之一左右 的非常弱的強(qiáng)度。這里，對(duì)使用上述磁療器10Α(參照?qǐng)D2Α)和磁療器10Β(參照?qǐng)D2Β)時(shí)的差別 進(jìn)行說(shuō)明。如圖5Α所示，在使用上述磁療器IOA時(shí)，發(fā)生磁力線沿著長(zhǎng)邊方向橫斷磁 療器IOA的交變磁場(chǎng)。另外，如圖5Β所示，在使用上述磁療器IOB時(shí)，發(fā)生磁力線沿 著短邊方向縱斷磁療器IOB的交變磁場(chǎng)。由此，能夠在患者腦內(nèi)的寬深范圍內(nèi)產(chǎn)生磁刺 激。另外，磁療器10Α、IOB由于向其整個(gè)周圍發(fā)生交變磁場(chǎng)，因此在磁療時(shí)，與患部 對(duì)置的磁療器10Α、IOB的朝向不限于圖5Α、圖5Β那樣的對(duì)體表平行的方向的例子，即使是垂直于體表的方向、斜方向等任意的方向也能夠?qū)疾孔饔媒蛔兇艌?chǎng)而進(jìn)行治療。如以上那樣，通過(guò)使用上述磁療器10，對(duì)患部作用高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變 磁場(chǎng)，例如促進(jìn)患部特定細(xì)胞中的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生，由該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群促進(jìn)中 樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞或者腦神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的恢復(fù)，從而能夠發(fā)揮治療腦疾病等的磁療效果。這時(shí)，磁療器10由于間歇產(chǎn)生上述高頻電磁波以及低頻電磁波，因此使交變磁 場(chǎng)斷續(xù)地作用于患部，能夠產(chǎn)生磁場(chǎng)的變化。因此，不會(huì)像連續(xù)發(fā)生恒穩(wěn)交變磁場(chǎng)的情 形那樣，由于患部的組織(細(xì)胞等)習(xí)慣了恒穩(wěn)的交變磁場(chǎng)而使磁療效果減弱。進(jìn)而， 由于高頻交變磁場(chǎng)的發(fā)生時(shí)間與低頻交變磁場(chǎng)的發(fā)生時(shí)間同步，因此作為磁療器10作用 的磁場(chǎng)整體還具有強(qiáng)弱變化。因此，能夠更明確有無(wú)對(duì)患部的磁刺激，提高磁療效果。進(jìn)而，調(diào)整磁療器10，使得所發(fā)生的高頻電磁波的上升沿時(shí)間以及下降沿時(shí)間 短至例如小于或等于0.003 μ sec，并且，大致矩形波的低頻電磁波的上升沿時(shí)間小于或等 于0.1 μ sec，下降沿時(shí)間例如小于或等于Ι.Ομ sec。因此，在上述交變磁場(chǎng)變化時(shí)，磁 場(chǎng)的作用/非作用的變化速度很快。從而，由于患度的組織對(duì)這樣的磁場(chǎng)變化敏感地反 應(yīng)，因此磁療效果提高。另外，磁療器10還具有一個(gè)特征，S卩，對(duì)患部的細(xì)胞起作用的高頻交變磁場(chǎng)以 及低頻交變磁場(chǎng)的強(qiáng)度(磁通密度)例如大于或等于50nT、小于或等于0.01Τ，與現(xiàn)有的 其它磁療器(例如0.8 10Τ)相比較非常小。S卩，在如現(xiàn)有的磁療器那樣使用了高磁場(chǎng) 強(qiáng)度的情況下，有可能因磁刺激而在腦等患部中產(chǎn)生傷害。由這種強(qiáng)的磁刺激引起的傷 害是眾所周知的，為此，在發(fā)達(dá)國(guó)家中確定了磁場(chǎng)環(huán)境下的安全作業(yè)基準(zhǔn)。例如，在美 國(guó)(斯坦福大學(xué)，1971年)對(duì)全身、頭部的磁刺激規(guī)定為0.02Τ，每一天暴露幾分鐘。然而，在現(xiàn)有的磁療法中，作用大于或等于0.1Τ的磁場(chǎng)的情形占據(jù)了大半。例 如，即使直徑幾毫米的肩部肌肉僵硬治療用的磁鐵，其磁場(chǎng)強(qiáng)度也是0.08 0.13Τ。因 此，不能否定長(zhǎng)期使用以高強(qiáng)度磁場(chǎng)產(chǎn)生磁刺激的現(xiàn)有磁療器引起對(duì)生物體的傷害的可 能性。與此不同，本實(shí)施方式的磁療器10由于作用于患部細(xì)胞的磁場(chǎng)強(qiáng)度如上所述是大 于或等于50ηΤ、小于或等于0.01Τ，非常微弱，因此使生物體發(fā)生傷害的可能性極低，特 別是能夠提供對(duì)腦等敏感的重要患部的安全磁療。但是，如果對(duì)患部作用的交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)低(例如小于30ηΤ)，則磁療效 果可能降低。在某一種說(shuō)法中，認(rèn)為細(xì)胞能夠反應(yīng)的最低磁場(chǎng)強(qiáng)度例如是30ηΤ左右。 因而，在本實(shí)施方式的磁療器10中，調(diào)整高頻用線圈30以及低頻用線圈40發(fā)生的高 頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，以使對(duì)患部的細(xì)胞作用的磁場(chǎng)程度例如成為 50ηΤ 0.01Τ的適宜范圍。這些線圈發(fā)生的交變磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度根據(jù)磁療器10內(nèi)的高頻 用線圈30以及低頻用線圈40與磁刺激對(duì)象的患部的距離(例如，從體表到腦內(nèi)患部的距 離)以及患部的磁導(dǎo)率(例如，腦的磁導(dǎo)率)等而決定。具體而言，在本實(shí)施方式的磁療器10的結(jié)構(gòu)中，例如，對(duì)從體表起6cm以內(nèi)深 度的患部，在至少作用50nT的高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)時(shí)(即，使由磁療器10產(chǎn) 生的磁刺激的有效距離為6cm時(shí))，可以把高頻用線圈30B發(fā)生的高頻交變磁場(chǎng)的該線圈 30B附近的磁場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)定為例如大約0.01T，把低頻用線圈40B發(fā)生的低頻交變磁場(chǎng)的該 線圈40B附近的磁場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)定為例如大約大于或等于0.1T。另外，在使上述有效距離為 12cm時(shí)，可以把上述高頻交變磁場(chǎng)的線圈30B附近的磁場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)定為例如大約0.1T，把上述低頻交變磁場(chǎng)的線圈40B附近的磁場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)定為例如大約1T。如以上那樣，本實(shí)施方式的磁療器10例如為了促進(jìn)患部細(xì)胞的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群 的產(chǎn)生，作用適當(dāng)?shù)念l率以及磁場(chǎng)強(qiáng)度的交變磁場(chǎng)，并且能夠以細(xì)胞易于受到刺激的時(shí) 間切換這種交變磁場(chǎng)的作用/非作用。從而，本實(shí)施方式的磁療器10與現(xiàn)有的磁療器相 比較，磁療效果非常高。另外，磁療器10操作簡(jiǎn)單，而且不僅是電池驅(qū)動(dòng)式、小型輕便、易于攜帶，而 只要像上述那樣接觸或者接近患部，就能夠容易而且在短時(shí)間(例如10分鐘)內(nèi)發(fā)揮治 療效果。從而，使用這種磁療器10的磁療不像現(xiàn)有的腦再生療法還需要進(jìn)行向腦內(nèi)移 植細(xì)胞的手術(shù)或者向腦內(nèi)注入這樣高級(jí)的醫(yī)療技術(shù)。由此，患者不必住院，就能夠在家 庭、職場(chǎng)、學(xué)校等任意的場(chǎng)所，由患者自身使用磁療器10隨時(shí)簡(jiǎn)單地進(jìn)行治療。另外，現(xiàn)有的進(jìn)行向腦內(nèi)移植細(xì)胞的手術(shù)或者向腦內(nèi)注入這樣的再生療法有可 能引起腦損傷或者感染癥等負(fù)作用。與此不同，本實(shí)施方式的磁療器10通過(guò)從體外對(duì)具 有產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的功能的細(xì)胞施加磁刺激，促進(jìn)在細(xì)胞內(nèi)產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群， 促進(jìn)脆弱化等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞等的自行恢復(fù)或者增殖。因 此，由于不需要像細(xì)胞移植手術(shù)或者注射那樣向腦內(nèi)介入醫(yī)療器具，所以沒(méi)有腦的損傷 或者感染癥等負(fù)作用，具有減小對(duì)患部周圍的細(xì)胞、組織的影響的極大優(yōu)點(diǎn)。<磁療器的治療對(duì)象>其次，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施方式的磁療器10的(1)磁刺激對(duì)象細(xì)胞、(2)通過(guò)磁刺 激產(chǎn)生的物質(zhì)、(3)治療對(duì)象的部位、(4)治療對(duì)象的疾病。(1)磁刺激對(duì)象細(xì)胞(能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的細(xì)胞)磁療器10的磁刺激對(duì)象細(xì)胞是能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物 質(zhì)的細(xì)胞。具體而言，該磁刺激對(duì)象細(xì)胞例如是神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞、神經(jīng)細(xì)胞、成纖維細(xì) 胞、血管內(nèi)皮細(xì)胞、肌肉細(xì)胞、表皮細(xì)胞、角化細(xì)胞或者免疫細(xì)胞等。這種磁刺激對(duì)象 細(xì)胞存在的主要部位例如是腦、脊髓、神經(jīng)、血管、肌肉、皮膚等。其中，神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞(neuroglia)是產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的代表性細(xì)胞的總稱， 例如，有星形膠質(zhì)細(xì)胞(星形神經(jīng)膠質(zhì)astroglia)、小膠質(zhì)細(xì)胞(microglia)、少突膠質(zhì) 細(xì)胞(oligodendrocyte)、施萬(wàn)細(xì)胞(Schwann cell)、套細(xì)胞(mantle cell)等。神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞 例如存在于腦、神經(jīng)細(xì)胞的周圍、血管、肌肉等中，向神經(jīng)細(xì)胞或者神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞供給 自身產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，支持這些細(xì)胞的增殖、恢復(fù)。另外，上述的成纖維細(xì)胞、 血管內(nèi)皮細(xì)胞、肌肉細(xì)胞、表皮細(xì)胞或者免疫細(xì)胞等這種存在于體內(nèi)任一部位的非神經(jīng) 系統(tǒng)的細(xì)胞也產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群。(2)通過(guò)磁刺激產(chǎn)生的物質(zhì)如果由磁療器10對(duì)上述磁刺激對(duì)象細(xì)胞(神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞等)施加磁刺激，則在 該細(xì)胞中，產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)。該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng) 營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的生理性效果成為由磁療器10產(chǎn)生的磁療效果的主要部分。神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(NT: Neurotrophin)是存在于腦、脊髓、末梢神經(jīng)中的神經(jīng)系 統(tǒng)細(xì)胞的生存和維持正常功能的分子(蛋白質(zhì))，在發(fā)生期的神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的生長(zhǎng)和分 化、或者受到損傷的神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的再生或者生存、維持等中具有重要的功能。該神 經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子例如包括神經(jīng)生長(zhǎng)因子(NGF Nerve Growth Factor)、腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(BDNF Brain-Derived Neurotrophic Factor)、堿性成纖維細(xì)胞增殖因子(FGF-2 Fibroblast Growth Factor-2)、神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞株源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(GDNF Glial cell line-Derived Neurotrophic Factor)等。神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)是神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的神經(jīng)突起伸 展作用的物質(zhì)群。該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)與上述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子相同，是支持神經(jīng)系統(tǒng) 細(xì)胞的生存和維持正常功能的物質(zhì)，具有蛋白質(zhì)性成分和非蛋白質(zhì)性成分。該神經(jīng)營(yíng) 養(yǎng)因子樣物質(zhì)例如包括腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP: adenosine monophosphate) >錳離子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生藥的低分子物質(zhì))、溶血 磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)(動(dòng)植物膜成分)、神經(jīng)節(jié)苷脂、Rho激酶 等。其中，腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸是非蛋白質(zhì)性的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)，Rho 激酶是蛋白質(zhì)性的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)。(3)治療對(duì)象的部位被治療體中的治療對(duì)象的部位(患部)是中樞神經(jīng)系統(tǒng)(CNS Central Nervous System)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)(Craniospinal Nervous System)。中樞神經(jīng)系統(tǒng)包括端腦、間
腦、中腦、小腦、腦橋、延髓、脊髓以及血管。該中樞神經(jīng)系統(tǒng)由神經(jīng)細(xì)胞(neuron)、 神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞和血管構(gòu)成。另外，腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)是周圍神經(jīng)系統(tǒng)(PNS : Peripheral Nervous System)中，由腦神經(jīng)(cranial nerves)和脊神經(jīng)(spinal nerves)構(gòu)成的神經(jīng)系統(tǒng)。
該腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)由神經(jīng)細(xì)胞(neuron)、施萬(wàn)細(xì)胞以及套細(xì)胞構(gòu)成。構(gòu)成這些中樞神經(jīng) 系統(tǒng)和腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細(xì)胞通過(guò)由上述神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞等供給的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的生理 效果，進(jìn)行修復(fù)、生長(zhǎng)、分化、增殖，有助于以下所示的各種疾病的治療。另外，所謂 細(xì)胞的分化，是細(xì)胞的性質(zhì)、形態(tài)發(fā)生變化。另外，所謂中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞，指的是存 在于中樞神經(jīng)系統(tǒng)(端腦(大腦半球)、間腦、中腦、小腦、腦橋、延髓、脊髓、血管) 中的細(xì)胞。另外，所謂腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞，指的是存在于腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)中的細(xì)胞。另外，在被治療體(例如人體)中，上述那樣的治療對(duì)象部位(患部)與由磁療 器10產(chǎn)生的磁刺激的對(duì)象部位既可以是同一部位，也可以是不同的部位。例如，為了治 療腦(治療對(duì)象部位)，可以對(duì)腦(磁刺激對(duì)象部位)施加磁刺激。另外，為了治療脊髓 (治療對(duì)象部位)可以對(duì)能夠向該脊髓供給神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的部位例如大腿部(磁刺激對(duì) 象部位)施加磁刺激。(4)治療對(duì)象的疾病磁療器10的治療對(duì)象疾病是由于各種原因使構(gòu)成上述中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓 神經(jīng)系統(tǒng)的細(xì)胞(例如神經(jīng)細(xì)胞或者神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞)脆弱化、損傷，或者其細(xì)胞數(shù)減少而 引起的疾病。具體而言，治療對(duì)象疾病是例如(a)神經(jīng)變性疾病(阿爾茨海默病性癡呆、 帕金森病、亨延頓舞蹈病、肌肉萎縮性側(cè)索硬化癥、多發(fā)性硬化癥、多系統(tǒng)萎縮癥、脊 髓小腦變性癥等)、(b)抑郁癥、(c)腦血管疾病(腦卒中、腦梗塞等)、(d)慢性疼痛、 (e)神經(jīng)因性疼痛、(f)脊髓損傷(病變或者由外傷引起)等。另外，雖然不是疾病，但 是為了預(yù)防這些疾病的(g)神經(jīng)保護(hù)作用也是磁療器10產(chǎn)生的磁療效果之一。這樣，本實(shí)施方式的磁療器10能夠作為神經(jīng)變性疾病治療器(阿爾茨海默病性 癡呆治療器、帕金森病治療器、亨延頓舞蹈病治療器、肌肉萎縮性側(cè)索硬化癥治療器、 多發(fā)性硬化癥治療器、多系統(tǒng)萎縮癥治療器、脊髓小腦變性癥治療器等)、抑郁癥治療器、腦血管疾病用治療器(腦卒中治療器、腦梗塞治療器等)、慢性疼痛治療器、神經(jīng)因 性疼痛治療器、脊髓損傷治療器、或者上述各種疾病的預(yù)防裝置等利用。例如，在治療抑郁癥的情況下，使用上述磁療器10對(duì)人體的腦照射交變磁場(chǎng)， 促進(jìn)由腦內(nèi)的神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞(星形膠質(zhì)細(xì)胞等)分泌BDNF、NGF等，對(duì)發(fā)生了脆弱化 等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞提供神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，由此使周邊的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞增殖、再 生，從而恢復(fù)細(xì)胞功能，恢復(fù)5-羥色胺(腦內(nèi)快樂(lè)物質(zhì))的產(chǎn)生，從而能夠有助于抑郁 癥的治療。另外，在治療阿爾茨海默病性癡呆的情況下，使用上述磁療器10對(duì)人體的腦照 射交變磁場(chǎng)，促進(jìn)由發(fā)生了脆弱化等的腦內(nèi)的Meynert核的神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞(星形膠質(zhì)細(xì)胞 等)分泌BDNF、NGF等，使由于β淀粉樣蛋白沉著而發(fā)生脆弱化等的大腦皮質(zhì)細(xì)胞增 殖、再生，從而能夠有助于阿爾茨海默病性癡呆的治療。另外，在治療腦卒中的情況下，使用上述磁療器10對(duì)人體的腦照射交變磁場(chǎng)， 促進(jìn)由因血管阻塞等受到損傷的部位的神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞(星形膠質(zhì)細(xì)胞等)分泌BGNF、 NGF等，對(duì)受到損傷的細(xì)胞提供神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，由此使受到損傷的部位的神經(jīng)細(xì)胞、 神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞增殖、再生，從而能夠有助于腦卒中的治療。另外，在治療神經(jīng)因性疼痛的情況下，通過(guò)使用上述磁療器10對(duì)感覺(jué)疼痛的患 部照射交變磁場(chǎng)，促進(jìn)在神末梢神經(jīng)中產(chǎn)生BDNF、NGF等。該BDNF、NGF等在神 經(jīng)細(xì)胞內(nèi)移動(dòng)，輸送到脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓，在脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓中增殖星形膠 質(zhì)細(xì)胞，由此能夠恢復(fù)神經(jīng)過(guò)敏癥，治療神經(jīng)因性疼痛。NGF等在所產(chǎn)生的周邊部位或 者神經(jīng)細(xì)胞內(nèi)移動(dòng)，輸送到脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓中，使受到損傷的感覺(jué)神經(jīng)修復(fù)、再 生，從而有助于治療。<磁療效果的機(jī)理>其次，參照?qǐng)D6，說(shuō)明通過(guò)由本實(shí)施方式的磁療器10產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)的磁刺激 對(duì)上述疾病發(fā)揮磁療效果的機(jī)理。圖6是表示由本實(shí)施方式的磁療器10產(chǎn)生的磁療效果 的機(jī)理的流程圖。作為該磁療效果的機(jī)理，總體而言，在于對(duì)腦疾病等患部(腦等)中的中樞神經(jīng) 系統(tǒng)細(xì)胞以高濃度供給神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)(以下，稱為“神經(jīng)營(yíng)養(yǎng) 因子群”)，促進(jìn)中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的再生。詳細(xì)而言，在于通過(guò)從磁療器10照射高頻 交變磁場(chǎng)，對(duì)神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞等這樣的能夠產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的細(xì)胞(上述磁刺激對(duì)象 細(xì)胞)施加磁刺激，促進(jìn)該細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生，將該細(xì)胞中產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng) 養(yǎng)因子群供給腦疾病等患部的細(xì)胞，使由于腦疾病而脆弱化、損傷、減少了等的中樞神 經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞修復(fù)、生長(zhǎng)、分化、增殖。如圖6所示，作為該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生促進(jìn)的機(jī)理，通過(guò)細(xì)胞實(shí)驗(yàn)的 結(jié)果認(rèn)為同時(shí)引起了三個(gè)細(xì)胞內(nèi)過(guò)程。這三個(gè)過(guò)程是(1)由細(xì)胞內(nèi)由鈣離子濃度上 升引起的胞吐作用所產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的釋放(S10 —S20 —S30)、(2)由細(xì) 胞內(nèi)鈣離子濃度上升引起的mRNA的增加所產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的合成以及釋放 (S10 — S20 — S40 — S42 — S44)、(3)不以細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升為起因的mRNA的增 加所產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的合成以及釋放(S10 — S40 — S42 — S44)。以下，分別說(shuō) 明這些神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生過(guò)程。
(1)胞吐作用胞吐作用(開(kāi)口釋放)是真核細(xì)胞具有的細(xì)胞功能，是將蓄積在細(xì)胞內(nèi)的物質(zhì)釋 放到細(xì)胞外的功能。由于是開(kāi)口釋放，因此如蛋白質(zhì)那樣的巨大分子也能夠釋放到細(xì)胞 外。詳細(xì)說(shuō)明該過(guò)程(1)。首先，通過(guò)由磁療器10產(chǎn)生的磁刺激(SlO)，在神經(jīng)膠 質(zhì)細(xì)胞等產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的細(xì)胞中，存在于細(xì)胞膜表面或者細(xì)胞內(nèi)的電位依賴性鈣 離子通道或者電位非依賴性的鈣離子通道開(kāi)放，從細(xì)胞外或者細(xì)胞內(nèi)的鈣貯藏部位供給 鈣離子，細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升(S20)。通過(guò)細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升，細(xì)胞內(nèi)的貯藏有神 經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的小泡與細(xì)胞膜融合，引起向細(xì)胞外的空間釋放神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子的胞吐作用 (S30)。即使細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃度稍稍上升10%也誘發(fā)胞吐作用。在細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃 度上升以后，在幾分鐘以內(nèi)開(kāi)始釋放現(xiàn)象并結(jié)束。(2)伴隨著細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃度上升的mRNA的增加該過(guò)程(2)起因于細(xì)胞增殖促進(jìn)作用。在神經(jīng)科學(xué)的領(lǐng)域中，已知神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因 子群也能夠在細(xì)胞分裂期產(chǎn)生。通過(guò)上述的磁刺激(SlO)，如果細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升 (S20),則該細(xì)胞的增殖周期加快。處于細(xì)胞增殖期的靜止期的細(xì)胞通過(guò)上述鈣離子濃度 的上升，經(jīng)過(guò)Gl期，轉(zhuǎn)移到S期。在S期中，發(fā)生DNA、RNA的復(fù)制，增加用于產(chǎn) 生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的mRNA(S40:作為說(shuō)明這一點(diǎn)的數(shù)據(jù)，參照后述的實(shí)驗(yàn)2的結(jié)果)。 由該復(fù)制增加了的mRNA使得作為蛋白質(zhì)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子核作為蛋白質(zhì)性成分的一部分 神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)合成(S42)，并向細(xì)胞外釋放所合成的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群(S44)。由該 過(guò)程(2)產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群認(rèn)為在神經(jīng)刺激后，隨著時(shí)間而增大。從細(xì)胞分裂的機(jī)理 出發(fā)，可以認(rèn)為這一點(diǎn)是妥當(dāng)?shù)摹?3)不以細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升為起因的mRNA的增加在該過(guò)程(3)中，在受到上述磁刺激(SlO)的細(xì)胞內(nèi)，不以細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度的 上升為起因，mRNA增加(S40)，合成神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群(S42)，釋放到細(xì)胞外(S44)。說(shuō)明認(rèn)為產(chǎn)生該過(guò)程(3)的根據(jù)。在后述的實(shí)驗(yàn)1中，將對(duì)MB8細(xì)胞(磁刺激 對(duì)象細(xì)胞)的磁刺激經(jīng)過(guò)3個(gè)小時(shí)后的培養(yǎng)基添加到PC12細(xì)胞(被供給神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群， 分化的細(xì)胞)中，確認(rèn)了 PC12細(xì)胞的神經(jīng)突起的伸展。實(shí)驗(yàn)1中使用的MB8細(xì)胞的分 裂是大致一天1次。由于在實(shí)驗(yàn)條件的磁刺激3個(gè)小時(shí)后的培養(yǎng)中轉(zhuǎn)移到S期的細(xì)胞少， 因此認(rèn)為如上述過(guò)程(3)所述，通過(guò)磁刺激直接激活了 mRNA的增加作用。另外，在其 它的實(shí)驗(yàn)中，對(duì)所培養(yǎng)的神經(jīng)細(xì)胞進(jìn)行10分鐘磁刺激，然后放置了 10分鐘以后，得到了 神經(jīng)細(xì)胞內(nèi)的MAP激酶活性上升了大約20%這樣的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。MAP激酶是以級(jí)聯(lián)反應(yīng) 調(diào)整細(xì)胞內(nèi)的蛋白質(zhì)活化、DNA、RNA合成的酶。該級(jí)聯(lián)反應(yīng)稱為MAP激酶系統(tǒng)，是 從細(xì)胞膜向核傳遞信號(hào)的反應(yīng)系統(tǒng)。由于該反應(yīng)系統(tǒng)的動(dòng)作，促進(jìn)作為蛋白的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng) 因子的合成，因此也增加mRNA。上述過(guò)程(2)起因于細(xì)胞內(nèi)鈣離子濃度上升，發(fā)生RNA的合成。然而，在上述 實(shí)驗(yàn)中，在3個(gè)小時(shí)的反應(yīng)時(shí)間中合成mRNA，根據(jù)其命令，合成神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的量很
少。因此，如果鑒于這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，則可以說(shuō)不僅進(jìn)行上述過(guò)程(2)，還同時(shí)進(jìn)行過(guò)程 ⑶。這里，對(duì)非蛋白質(zhì)性的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。作為神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的代表性物質(zhì)，例如有腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸 (AMP adenosine monophosphate) >錳離子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生藥的 低分子物質(zhì))、溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)(動(dòng)植物膜成分)、神經(jīng)
節(jié)苷脂、Rho激酶。除此以外還發(fā)現(xiàn)了數(shù)百種神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)，但沒(méi)有被確定的物 質(zhì)很多。這些神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)如稱為單體離子(錳離子等)、低分子物質(zhì)(腺嘌呤核 苷、腺嘌呤核苷一磷酸等)、脂質(zhì)(溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)、神
經(jīng)節(jié)苷脂等)、蛋白質(zhì)性成分(Rho激酶等)那樣，其種類、物性多種多樣。蛋白質(zhì)性的 神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)受到mRNA的指導(dǎo)而促進(jìn)合成，釋放到細(xì)胞外。另一方面，非蛋白 質(zhì)性的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)由于其種類多，產(chǎn)生機(jī)理也不相同。例如，單體離子或者低 分子性物質(zhì)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)既有存在于細(xì)胞內(nèi)的，也有在細(xì)胞內(nèi)合成的。另外， 脂質(zhì)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)在細(xì)胞內(nèi)合成。認(rèn)為任一種非蛋白質(zhì)性的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物 質(zhì)的情況都通過(guò)胞吐作用釋放到細(xì)胞外。由于脂質(zhì)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)也是細(xì)胞膜的 構(gòu)成成分，因此認(rèn)為也有通過(guò)胞吐作用以外的過(guò)程釋放到細(xì)胞外的情況。通過(guò)以上那樣的過(guò)程(1) (3)，如果在受到磁刺激的細(xì)胞(神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞等) 中產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，則該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群供給到由疾病等脆弱化了的中樞神經(jīng)系統(tǒng) 細(xì)胞等中，通過(guò)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞受到保護(hù)作用(S50)。其結(jié)果，脆 弱化了的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞被激活，進(jìn)行修復(fù)、生長(zhǎng)、分化、增殖(S60)，從而能夠得到 以上述中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的脆弱化等為原因的腦疾病(神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管 疾病等)的治療效果(S70)。根據(jù)以上說(shuō)明的機(jī)理，通過(guò)使用磁療器10對(duì)患部施加適當(dāng)?shù)拇糯碳?，促進(jìn)細(xì)胞 內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生，能夠發(fā)揮對(duì)上述腦疾病等各種疾病的出色的治療或預(yù)防效^ ο從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，本實(shí)施方式的磁療器10例如能夠發(fā)射磁通密度小于或等于 0.01T、大約120 160MHz的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率的高頻交變磁場(chǎng)以及大約2.0kHz的低頻交 變磁場(chǎng)作為能夠施加適當(dāng)?shù)拇糯碳さ慕蛔兇艌?chǎng)，作用于患部。該大約120 160MHz左 右的高頻交變磁場(chǎng)的照射刺激，例如與其它的頻率相比較，促進(jìn)細(xì)胞中的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子 群的產(chǎn)生的作用大。另外，2.0kHz的低頻交變磁場(chǎng)的照射刺激例如具有使β -內(nèi)啡肽和 細(xì)胞因子等從細(xì)胞釋放的作用。另外，作用于患部的高頻交變磁場(chǎng)的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率，根據(jù)后述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果， 在磁療效果上，大約120 160MHz是適宜的，但也發(fā)現(xiàn)即使是除此以外的頻率范 圍，也充分有助于細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃度上升。該適宜的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率的范圍是20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz(第 4適宜范圍)，更優(yōu)選的是60 180MHz、 280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz(第3適宜范圍)，更加理想的是 100 160MHz(第2適宜范圍)，最優(yōu)選的是120 160MHz(第1適宜范圍)。這里舉 出的范圍中，由于越是后者范圍的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率，越能夠在磁刺激對(duì)象細(xì)胞中更多地 產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，供給到治療對(duì)象的部位的細(xì)胞中，因此可以說(shuō)磁療效果越高。實(shí)施例以下，說(shuō)明驗(yàn)證由上述實(shí)施方式的磁療器10產(chǎn)生的磁療效果而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。該磁療器10如上所述，能夠發(fā)射適宜的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率的高頻交變磁場(chǎng)以及低 頻交變磁場(chǎng)(例如2.0kHz)對(duì)被治療體施加磁刺激。另外，以下的實(shí)施例是為了實(shí)驗(yàn)驗(yàn) 證上述實(shí)施方式涉及的磁療器10的磁療效果的例子，本發(fā)明并不限于以下的例子。< 實(shí)驗(yàn) 1>首先，對(duì)實(shí)驗(yàn)1進(jìn)行說(shuō)明，該實(shí)驗(yàn)1是為了決定由上述磁療器10作用于被治療 體細(xì)胞的高頻交變磁場(chǎng)的產(chǎn)生促進(jìn)用頻率的適宜范圍。在該實(shí)驗(yàn)1中，對(duì)磁刺激對(duì)象細(xì)胞(MB8細(xì)胞)作用互不相同的多個(gè)頻率(20 3000MHz)的高頻交變磁場(chǎng)，在培養(yǎng)基內(nèi)產(chǎn)生了神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群以后，把含有該神經(jīng)營(yíng)因 子群的培養(yǎng)基添加到PC12細(xì)胞(因神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的存在使神經(jīng)突起伸展分化的細(xì)胞) 中，判定神經(jīng)突起的伸展度，對(duì)每個(gè)頻率均求出與沒(méi)有施加磁刺激的非刺激組相比較而 得到的磁療的效果度。首先，說(shuō)明本實(shí)驗(yàn)1的實(shí)驗(yàn)條件及其順序⑴ (5)。(1)MB8細(xì)胞以及PC12細(xì)胞的培養(yǎng)作為神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生細(xì)胞(磁刺激對(duì)象細(xì)胞)，使用了作為神經(jīng)膠質(zhì)類細(xì) 胞的“MB8細(xì)胞”。該MB8是產(chǎn)生神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子以及神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的細(xì)胞。培 養(yǎng)出生8天后的小鼠的腦細(xì)胞，使神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞增殖，得到MB8細(xì)胞。將該MB8細(xì)胞 接種于24孔培養(yǎng)板(膠原蛋白I包被)中，每孔接種大約15.5X105個(gè)，使用添加有10% FBS的DMEM培養(yǎng)基(日水制藥公司制)以及二氧化碳培養(yǎng)裝置(孵箱)，在溫度37°C、 二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)24小時(shí)。另外，作為用于確認(rèn)神經(jīng)突起伸展的細(xì)胞，使用了 PC12細(xì)胞(JCRB0266)。該 PC12細(xì)胞是腎上腺髓質(zhì)的嗜鉻細(xì)胞瘤細(xì)胞，是在神經(jīng)生長(zhǎng)因子的實(shí)驗(yàn)、研究中標(biāo)準(zhǔn)使用 的細(xì)胞。該P(yáng)C12細(xì)胞是在神經(jīng)生長(zhǎng)因子(NGF)等的存在下伸展神經(jīng)突起的細(xì)胞，在神 經(jīng)生長(zhǎng)因子等的作用下從腎上腺細(xì)胞向神經(jīng)細(xì)胞開(kāi)始分化。該P(yáng)C12細(xì)胞使用了從作為 細(xì)胞銀行的團(tuán)體法人人類科學(xué)研究資源銀行(Human Science Research Resources Bank)分 出的細(xì)胞。把該P(yáng)C12細(xì)胞接種在48孔培養(yǎng)板(膠原蛋白IV包被)中，每孔接種大約 28X 102個(gè)(細(xì)胞之間的間隔不過(guò)于接近的程度)，使用添加有10%馬血清+5% FBS的 RPMI1640培養(yǎng)基(日水制藥社制)以及二氧化碳培養(yǎng)裝置，在溫度37°C、二氧化碳濃度 5%的環(huán)境下培養(yǎng)了 24小時(shí)。另外，以下的細(xì)胞培養(yǎng)完全在該溫度37°C、二氧化碳濃度 5%的環(huán)境下進(jìn)行。(2)對(duì)MB8細(xì)胞的磁刺激使用與上述磁療器IOB (參照?qǐng)D2B)相當(dāng)?shù)膶?shí)驗(yàn)用磁刺激裝置，對(duì)上述培養(yǎng)板內(nèi) 的各MB8細(xì)胞(神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生細(xì)胞)施加磁刺激。磁刺激通過(guò)使用磁刺激裝置 從培養(yǎng)板的下面?zhèn)日丈浣蛔兇艌?chǎng)而進(jìn)行。此時(shí)，在施加了 30分鐘磁刺激以后，培養(yǎng)30 分鐘(培養(yǎng)過(guò)程中沒(méi)有磁刺激)，進(jìn)而再施加30分鐘磁刺激。這樣，將作用于MB8細(xì) 胞的高頻交變磁場(chǎng)的頻率以每個(gè)實(shí)驗(yàn)單位在20MHz 3000MHz的范圍內(nèi)階段性地改變， 分別進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。對(duì)該磁刺激中使用的實(shí)驗(yàn)用磁刺激裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。該磁刺激裝置由 用于生成MHz頻帶(20MHz 3000MHz)的高頻的信號(hào)發(fā)生器(“E4421B” Agilent公司 制)、用于生成kHz頻帶(2.0kHz)的低頻的函數(shù)發(fā)生器(“33220A” Agilent公司制)、用于生成Hz頻帶(7.81kHz)的低頻的函數(shù)發(fā)生器(“FG320”橫河電機(jī)公司制)、調(diào)整 這三種頻帶信號(hào)的輸出強(qiáng)度的RF-AMP單元(放大器)、統(tǒng)一控制這三種頻帶的信號(hào)的控 制單元、和上述圖2B的磁療器IOB具備的振蕩線圈50構(gòu)成。在磁刺激時(shí)，如圖7所示，在振蕩線圈50上放置上述MB8細(xì)胞的培養(yǎng)板60， 蓋上遮光布。接著，在振蕩線圈50的高頻用線圈30、低頻用線圈40上分別施加高頻電 流、低頻電流，發(fā)生包括高頻交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)的電磁波，由此，對(duì)培養(yǎng)板60 的各培養(yǎng)孔內(nèi)的MB8細(xì)胞施加30分鐘磁刺激以后，中止磁刺激培養(yǎng)30分鐘，進(jìn)而再施 加30分鐘的磁刺激。這時(shí)，在每個(gè)實(shí)驗(yàn)單位，在20 3000MHz之間階段性地使施加到高頻用線圈30 上的高頻電流的頻率變化，使不同的產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻交變磁場(chǎng)作用于細(xì)胞。另一 方面，施加到低頻用線圈40上的低頻電流的頻率維持為2.0kHz，使一定頻率(2.0kHz)的 低頻交變磁場(chǎng)作用于細(xì)胞。由此，能夠排除低頻交變磁場(chǎng)的影響而對(duì)高頻交變磁場(chǎng)的頻 率與MB8細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生度的相關(guān)性進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。另外，即使在高頻交變 磁場(chǎng)是任一種頻率的情況下，也如在上述圖4中表示的那樣，按7.81Hz間歇地輸出高頻 交變磁場(chǎng)以及低頻交變磁場(chǎng)的雙方。另外，測(cè)定了磁刺激中的上述振蕩線圈50的中心部 的磁場(chǎng)強(qiáng)度(磁通密度)，83.3MHz的高頻電磁波的磁場(chǎng)強(qiáng)度是1.26 μ T，低頻電磁波的 磁場(chǎng)強(qiáng)度是13 μ Τ。(3)磁刺激后的ΜΒ8細(xì)胞的培養(yǎng)、神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生使用上述培養(yǎng)板在溫度37°C下把受到了上述(2)的各頻率的磁刺激的磁刺激組 的各MB8細(xì)胞(神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生細(xì)胞)培養(yǎng)了 3個(gè)小時(shí)。在培養(yǎng)過(guò)程中，MB8細(xì) 胞產(chǎn)生與受到上述磁刺激時(shí)的各頻率相應(yīng)的量的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，并釋放到細(xì)胞外。另 外，沒(méi)有實(shí)施上述(2)的磁刺激的非刺激組的MB8細(xì)胞也在與磁刺激組相同的條件下進(jìn) 行了培養(yǎng)。(4)將神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群供給PC12細(xì)胞、神經(jīng)突起的伸展上述(3)的培養(yǎng)以后，吸取磁刺激組的各MB8細(xì)胞的培養(yǎng)基(含有MB8細(xì)胞 產(chǎn)生的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群)，用微過(guò)濾器過(guò)濾，把該過(guò)濾后的培養(yǎng)基分別添加到PC12細(xì)胞 中。然后，在溫度37°C下將各PC12細(xì)胞培養(yǎng)24小時(shí)。在培養(yǎng)過(guò)程中，各PC12細(xì)胞根 據(jù)培養(yǎng)基內(nèi)存在的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的數(shù)量而形成并伸展神經(jīng)突起。另外，添加了非刺激 組的MB8細(xì)胞的培養(yǎng)基的PC12細(xì)胞也同樣進(jìn)行了培養(yǎng)。(5)PC12細(xì)胞中的神經(jīng)突起的伸展度的判定用顯微鏡觀察上述(4)的培養(yǎng)后的各PC12細(xì)胞，把神經(jīng)突起的長(zhǎng)度伸展到大于 或等于一個(gè)細(xì)胞長(zhǎng)度的情況判定為陽(yáng)性細(xì)胞。每個(gè)頻率的磁刺激組觀察30個(gè)PC12細(xì)胞， 記錄陽(yáng)性細(xì)胞數(shù)。另外，對(duì)于非刺激組的PC12細(xì)胞也同樣進(jìn)行判定，記錄陽(yáng)性細(xì)胞數(shù)。然后，根據(jù)以下的公式，求出了上述每個(gè)頻率的磁刺激的效果度。該效果度的 指標(biāo)為在每個(gè)頻率表示磁刺激組的PC12細(xì)胞與非刺激組的PC12細(xì)胞相比較伸展何種程 度的神經(jīng)突起，即，由磁刺激產(chǎn)生的PC12細(xì)胞的神經(jīng)突起的伸展度(磁療效果)。艮口， 該效果度越高，表示MB8細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群通過(guò)磁刺激越大量產(chǎn)生(神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因 子群的產(chǎn)生度高)，該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群使PC12細(xì)胞的神經(jīng)突起越伸展(神經(jīng)突起的伸展 度高)。這一點(diǎn)表示，通過(guò)以高濃度供給神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群，可以適宜地促進(jìn)以疾病為原因已經(jīng)脆弱化等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細(xì)胞的修復(fù)、生長(zhǎng)、分化、增 殖，疾病的磁療效果度高。(效果度)=(磁刺激組的陽(yáng)性細(xì)胞數(shù))/(非刺激組的陽(yáng)性細(xì)胞數(shù))進(jìn)而，如上述那樣，在每個(gè)實(shí)驗(yàn)單位得到了神經(jīng)突起的伸展效果以后，在每個(gè) 相同的頻率總計(jì)它們的效果，求出了神經(jīng)突起伸展的平均效果度(倍)。針對(duì)所有頻率本實(shí)驗(yàn)1合計(jì)進(jìn)行了 2173次。在收集各實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)時(shí)，在每個(gè)頻率 的實(shí)驗(yàn)中，去除了有可能是磁刺激以外的因素影響神經(jīng)突起伸展的數(shù)據(jù)(例如，細(xì)胞培 養(yǎng)的不良、在同一個(gè)頻率中與其它的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)偏離很大的特異性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù))。在本實(shí)驗(yàn)1 中，在各實(shí)驗(yàn)日，再次進(jìn)行了有關(guān)非刺激組的神經(jīng)突起伸展的確認(rèn)、135MHz下的磁刺激 時(shí)的神經(jīng)突起伸展的確認(rèn)以及由前一天實(shí)驗(yàn)所使用的頻率中的任一頻率產(chǎn)生的磁刺激時(shí) 的神經(jīng)突起伸展的確認(rèn)的實(shí)驗(yàn)，保證了實(shí)驗(yàn)的正確性。另外，在上述實(shí)驗(yàn)1中使用的PC12細(xì)胞具有在神經(jīng)生長(zhǎng)因子等的作用下從腎上 腺細(xì)胞開(kāi)始向神經(jīng)細(xì)胞分化的特性，通過(guò)神經(jīng)突起的伸展，能夠很容易地判斷該P(yáng)C12細(xì) 胞分化成神經(jīng)細(xì)胞。神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群產(chǎn)生反應(yīng)有多種機(jī)制，而且各個(gè)反應(yīng)在多個(gè)反應(yīng)的 協(xié)同下進(jìn)行(級(jí)聯(lián)反應(yīng))。在本實(shí)驗(yàn)1中，并不是研究這些各機(jī)制和反應(yīng)，而是研究對(duì)于 機(jī)體重要的而且作為綜合性的最終的神經(jīng)功能的神經(jīng)突起的伸展現(xiàn)象的表現(xiàn)程度。艮口， 即使促進(jìn)與上述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的產(chǎn)生有關(guān)的各個(gè)反應(yīng)，但是如果最終沒(méi)有神經(jīng)突起的 伸展，則也認(rèn)為治療價(jià)值低，因此，測(cè)定了每個(gè)頻率的神經(jīng)突起的伸展度作為表示磁療 效果的指標(biāo)。以上說(shuō)明了實(shí)驗(yàn)1的實(shí)驗(yàn)條件以及實(shí)驗(yàn)順序。表1以及圖8表示該實(shí)驗(yàn)1的實(shí) 驗(yàn)結(jié)果。另外，圖8的曲線圖是在每個(gè)頻率[MHz]把表1表示的平均效果度(倍)的實(shí) 驗(yàn)數(shù)據(jù)標(biāo)記而描繪的近似曲線。[表1]
權(quán)利要求
1.一種神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置通過(guò)對(duì)細(xì)胞施加 磁刺激，促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生，其特征在于具備高頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的范圍的產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻交變磁場(chǎng)在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度 下對(duì)所述細(xì)胞發(fā)生作用，所述高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁 波，通過(guò)由所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻交變磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁刺激，使所述細(xì)胞內(nèi)的鈣離子 濃度上升，誘發(fā)所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的胞吐作用，并通過(guò)所 述磁刺激，增加所述細(xì)胞內(nèi)的所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的轉(zhuǎn)錄因 子(mRNA)，促進(jìn)所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的合成以及向細(xì)胞外 的釋放。
2.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述細(xì)胞是能夠產(chǎn)生所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子和/或所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的細(xì)胞，包 括神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞、神經(jīng)細(xì)胞、成纖維細(xì)胞、血管內(nèi)皮細(xì)胞、表皮細(xì)胞、角化細(xì)胞、免疫 細(xì)胞或者肌肉細(xì)胞。
3.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子包括神經(jīng)生長(zhǎng)因子(NGF)、腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(BDNF)、堿性 成纖維細(xì)胞增殖因子(FGF-2)或者神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞株源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(GDNF)中的至少 任一種。
4.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)包括腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、錳離子、京 尼平、溶血磷脂酰乙醇胺、神經(jīng)節(jié)苷脂或者Rho激酶中的至少任一種。
5.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置是用于治療以中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的 細(xì)胞的脆弱化、損傷或者細(xì)胞數(shù)減少為原因發(fā)生的疾病而使用的治療器。
6.如權(quán)利要求5所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述疾病包括神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病或者脊髓損傷中的至少任一種。
7.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻選自60 180MHz、280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz的范圍。
8.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻選自100 160MHz的范圍。
9.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻選自120 160MHz的范圍。
10.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于，所述高頻電磁波 發(fā)生單元具備輸出高頻電流的高頻振蕩單元、和通過(guò)從所述高頻振蕩單元施加高頻電流，發(fā)生所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波的 高頻用天線。
11.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述高頻電磁波 發(fā)生單元按照預(yù)定的周期反復(fù)發(fā)生所述高頻電磁波的接通期間和不發(fā)生所述高頻電磁波 的斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。
12.如權(quán)利要求11所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述高頻電磁 波發(fā)生單元按照與2.0士 10% kHz相對(duì)應(yīng)的周期反復(fù)發(fā)生所述高頻電磁波的第1接通期間 和不發(fā)生所述高頻電磁波的第1斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。
13.如權(quán)利要求11所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述高頻電磁 波發(fā)生單元按照與7.8士 10% Hz相對(duì)應(yīng)的周期反復(fù)發(fā)生所述高頻電磁波的第2接通期間和 不發(fā)生所述高頻電磁波的第2斷開(kāi)期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。
14.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述高頻電磁波 發(fā)生單元通過(guò)按照與所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻相對(duì)應(yīng)的周期間歇發(fā)生比所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻 高的頻率的高頻電磁波，發(fā)生所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波。
15.如權(quán)利要求1所述的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，其特征在于所述高頻電磁波 發(fā)生單元發(fā)生的所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的高頻電磁波包括發(fā)生小于所述產(chǎn)生促進(jìn)用高頻的 高頻電磁波時(shí)產(chǎn)生的高次諧波。
全文摘要
本發(fā)明提供一種神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置，為了治療或者預(yù)防腦疾病等各種疾病，該神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置不向患部實(shí)施細(xì)胞移植或者注射，而是通過(guò)與治療場(chǎng)所無(wú)關(guān)的簡(jiǎn)易方法，促進(jìn)患部中的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的產(chǎn)生。神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子產(chǎn)生促進(jìn)裝置具備高頻電磁波發(fā)生單元，為了使20～180MHz、280～600MHz、700～1000MHz的范圍的高頻交變磁場(chǎng)在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下對(duì)細(xì)胞發(fā)生作用，該高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生該頻率的高頻電磁波，通過(guò)由該高頻的高頻交變磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁刺激，使細(xì)胞內(nèi)的鈣離子濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子或者神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子樣物質(zhì)的胞吐作用，并通過(guò)磁刺激，增加細(xì)胞內(nèi)的神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的轉(zhuǎn)錄因子(mRNA)，促進(jìn)神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子群的合成以及向細(xì)胞外的釋放。
文檔編號(hào)A61N2/04GK102008782SQ20101054649
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2006年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月8日
發(fā)明者木下嚴(yán), 西光晴 申請(qǐng)人:株式會(huì)社醫(yī)療器械